金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种刻蚀设备及其衬底处理系统和器件制备方法”的专利，公开号CN119495544A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种刻蚀设备及其衬底处理系统和器件制备方法，该刻蚀设备用于在衬底表面形成隔离槽，其包含：刻蚀腔，其腔体上开设有用于输送刻蚀气体的输气口；位于刻蚀腔内部用于承载衬底的基座；掩膜板，其位于输气口与基座之间，掩膜板与基座之间的距离可调；其中，掩膜板包含：支撑板，其开设有多个第一气体通道；弹性介质层，其位于支撑板底部，支撑板底部设置有多个弹性介质层覆盖区以及位于不同弹性介质层覆盖区之间的多条第二气体通道，多个第一气体通道与第二气体通道连通并共同组成刻蚀气体扩散通道。其优点是：该刻蚀设备将可相对移动的掩膜板和基座相结合，简化了衬底处理的步骤，无需额外增加掩膜和设备，减少了生产投入成本。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币，实缴资本61927.9423万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目65次，知识产权方面有商标信息72条，专利信息1454条，此外企业还拥有行政许可71个。

本文源自：金融界